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 レーザー加工装置、 リソグラフィー装置 lasersystem

エキシマレーザー微細加工装置 

ピコ/フェムト秒レーザー加工装置
 
 
【波長】
 ・193nm, 248nm, 308nm, 351nm

【特長】
 ・UVパルスによる非熱加工
 ・サブミクロン単位の深さ制御
 ・マスクモチーフによりビーム形状が決定
 ・ミクロン単位の微細加工

【応用】
 ・有機材料、医療用材料の加工
 ・金属薄膜除去、パターニング
 ・UVパルスによる表面クリーニング
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【波長】
 ・ピコ秒   :1064nm(532nm,355nm)
 ・フェムト秒 :775nm

【特長】
 ・超短パルスによる非熱加工
 ・透明材料の内部改質

【応用】
 ・光学結晶、部品微細加工
 ・薄膜太陽電池パターニング
 ・化合物半導体膜、超伝導薄膜除去
 ・マイクロマシン、MEMS加工

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卓上微細加工装置   エキシマレーザー加工装置 ピコ秒レーザー加工装置    
 


ディスクレーザー微細加工装置


ステントカッター

【波長】
 ・1030nm

【特長】
 ・ディスクレーザー搭載
 ・最小切断幅 8μm(SUS t=100μm)
 ・位置決め精度±1μm, 分解能50nm

【応用】
 ・医療部品:ステント、注射針、内視鏡部品

 ・機械部品:微小歯車、精密バネ、エンコーダー
 ・各種ノズル
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【波長】
 ・1030nm

【特長】
 ・切断幅15μm以下
 ・熱影響軽減
 ・オールグラナイト構造、高加工精度

【応用】
 ・医療用金属ステント

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オールグラナイトのステントカッター

極細ケーブル、テフロン被覆対応
レーザーワイヤーストリッパー

Newマスクレス露光装置
ダイレクトレーザーリソグラフィーシステム
SIENNA200シリーズ

SIENNA500シリーズ

【波長】
 ・10.6μm

【特長】
 ・芯線損傷無し
 ・極細線対応
 ・ケーブル反転不要

【応用】
 ・航空機、精密機器用極細線
 ・テフロンなど他難加工被覆対応
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【波長】
 ・375,405nm
    (Dilase250/650)
 ・325,375,405,445nm
    (Dilase750)

【特長】
 ・レーザー直描露光・マスクレス
 ・高解像度ライン幅500nm
 ・ウエハサイズ1~12インチ
    (Dilase750)

【応用】
 ・マイクロ流路、ミラー、レンズ
 ・光導波路、インターコネクション
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New
光ファイバー先端加工装置
レーザークリーブシステム
 


【特長】
 ・多彩なファイバーカット断面
 ・高い歩留まり率
 ・生産性向上
 ・安定したクリーブアングル
 ・研磨工程の簡素化
 ・簡単操作、熟練不要

【応用】
 ・ピッグテイルファイバー
 ・レンズファイバー
 ・リボンファイバー対応
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 レーザー発振器 lasersource

エキシマレーザー
    --ゲートバルブ搭載--
【波長】
 ・193nm, 248nm, 308nm

【出力/エネルギー】
・3-80W, max650mJ/pulse

【応用】
 ・微細加工, ファイバーグレーティング
 ・PLD, アニーリング光源



小型エキシマレーザー
   --短パルストップフラットビーム--
【波長】
 ・193nm, 248nm

【出力/エネルギー】
3-9W, max18mJ/pulse

【応用】
 ・微細加工
 ・結晶材料、エラストマー材加工
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ディスク型固体レーザー
    
--優れたビームプロファイル--
【波長】
 ・1030nm, 515nm

【出力/エネルギー】
 ・CW: 20, 50, 100W (1030nm)
 ・Qスイッチ@5kHz: 4mJ/20W(1030nm)

【応用】
 ・狭幅切断加工
 ・微細加工
 ・チタンサファイヤレーザー励起



スラブ型固体レーザー
    --短パルス,高出力,矩形ビーム可能--
【波長】
 ・1064, 1047nm、532, 523nm、355, 349nm

【出力/エネルギー】
・16-200W
・30mJ@1kHz, 7ns(1047nm)

【応用】
 ・ガラス加工、太陽電池工程
 ・Dyeレーザー、OPA,OPOの励起光源
 ・PIF、LIF
法光源
 ・プラズマ生成



TEA-CO2レーザー
    --高信頼性パルスCO2--
【波長】
 ・10.6μm, 9.3μm

【出力/エネルギー】
 ・75W @ 0.15J, 500Hz
 ・68W @ 5.6J, 12Hz

【応用】
 ・プリント基板穴あけ、石英加工
 ・錠剤穴あけ
 ・電子部品、化粧品、ビールラベルなどの
   マーキング



1kWエキシマレーザー
    
--高出力高品質フラットビーム--
【波長】
 ・ 308nm (XeCl)

【出力/エネルギー】
・1kW (1J, 1kHz)

【応用】
 ・多穴加工
 ・アニーリング光源

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 レーザーマーキング装置 lasermarking

レンズ用マーキング装置

【発振器波長】
・193nm


【特長】
 ・非接触マーキング
 ・ドット形状、深さの柔軟性
 ・ブラインドマーキング
 ・レンズ曲面対応


【応用】
 ・ガラス、プラスチック製
   曲面メガネレンズ用マーキング



汎用マーキング装置

【発振器波長】
 ・10.6μm, 1064nm, 532nm


【特長】
 ・幅広いラインナップ
 ・カスタマイズに対応
 ・APCAuto Power Compensator
 ・レーザー・オン・ディレイ機能
 ・移動ライン対応マーキング


【応用】
 ・樹脂、金属、セラミックス材マーキング





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 周辺機器/特注品 syuhen


●軟X線ミラー


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